Porównanie pamięci RAM Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Wynik ogólny

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

2 17.1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

2,072.7 13.1

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 75

Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 5300

Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

858 2833

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns