RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,574.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
2988
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link