RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
72
74
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
72
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1731
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link