RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
74
Wokół strony -222% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2938
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link