RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
74
Около -222% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2938
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link