RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
74
Wokół strony -139% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3130
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link