RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
87
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2497
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link