RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
74
Wokół strony -311% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3663
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link