RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3128
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link