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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
74
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
28
读取速度,GB/s
4,178.4
16.5
写入速度,GB/s
2,201.1
12.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3128
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
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