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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.3
21.4
写入速度,GB/s
8.0
16.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3739
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
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