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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
总分
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
14.1
14.7
写入速度,GB/s
8.7
11.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2228
2732
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
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