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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston HX432C15PB3/16 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
77
左右 -67% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
46
读取速度,GB/s
3,405.2
14.6
写入速度,GB/s
2,622.0
12.4
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2828
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
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INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
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