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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
69
左右 -165% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.8
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
26
读取速度,GB/s
3,325.1
19.4
写入速度,GB/s
1,441.2
16.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3899
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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