RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
74
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3183
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link