RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
74
Wokół strony -236% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3205
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link