RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
74
En -236% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3205
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link