RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
74
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3011
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-026.A00LF 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link