RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
74
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3655
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link