Porównanie pamięci RAM Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Wynik ogólny

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

4 17.6

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

2,201.1 15.4

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 74

Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 6400

Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

508 3705

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns