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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
74
Autour de -164% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3705
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
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