RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3675
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link