RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
74
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2814
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link