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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
74
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
37
读取速度,GB/s
4,178.4
14.8
写入速度,GB/s
2,201.1
11.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2814
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
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Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
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