RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
74
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2760
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link