RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
74
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2408
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link