RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
74
Wokół strony -222% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2561
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link