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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
74
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
23
读取速度,GB/s
4,178.4
16.6
写入速度,GB/s
2,201.1
12.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2561
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
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