Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

总分
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

总分
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    28 left arrow 36
    左右 22% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    15 left arrow 12.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    10.3 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    28 left arrow 36
  • 读取速度,GB/s
    12.9 left arrow 15.0
  • 写入速度,GB/s
    9.0 left arrow 10.3
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2112 left arrow 2569
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较