RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
36
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2569
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link