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Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
比较
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
总分
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 -31% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
26
读取速度,GB/s
14.9
14.8
写入速度,GB/s
13.1
9.6
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2780
2437
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
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