RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
74
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2834
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link