RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2852
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link