RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,076.1
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
59
Около -146% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,723.5
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,076.1
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
741
2852
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link