RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
66
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.0
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2637
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link