RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    59 left arrow 66
    Около 11% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 14.7
    Среднее значение в тестах
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    7.3 left arrow 2,076.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    59 left arrow 66
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,723.5 left arrow 14.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,076.1 left arrow 7.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    741 left arrow 1699

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Сравнения RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
модули RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
модули RAM