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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
59
左右 -146% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
24
读取速度,GB/s
4,723.5
15.6
写入速度,GB/s
2,076.1
12.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2852
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
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