RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,076.1
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
59
Autour de -146% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2852
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link