RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против AMD R7S44G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
46
Около -130% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
20
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
18.9
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2707
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link