RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против AMD R7S44G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
46
Около -130% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
20
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
18.9
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2707
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link