RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
74
Wokół strony -289% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3359
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link