RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
15.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
74
Intorno -289% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
19
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3359
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Qimonda ITC 1GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link