RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
74
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3364
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link