RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.4
4.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.4
4.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1344
1175
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link