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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.4
4.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
30
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
7.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.4
4.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1344
1175
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
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