Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    8.6 left arrow 7.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.4 left arrow 4.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 30
    Rund um -7% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    30 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    8.6 left arrow 7.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.4 left arrow 4.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1344 left arrow 1175
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