RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.6
7.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.4
4.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno -7% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
30
28
Velocità di lettura, GB/s
8.6
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
4.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1344
1175
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link