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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    8.6 left arrow 7.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    5.4 left arrow 4.4
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 30
    En -7% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    30 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    8.6 left arrow 7.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.4 left arrow 4.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1344 left arrow 1175

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