RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
74
Wokół strony -289% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3724
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link