RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
74
Около -289% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
20.7
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3724
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link