RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
74
Wokół strony -270% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3726
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link