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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
74
左右 -270% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
20
读取速度,GB/s
4,178.4
20.1
写入速度,GB/s
2,201.1
15.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3726
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
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